24V iki yönlü geçici gerilim bastırıcı Diyot 5.0SMDJ24CA 38.9VC SMD ambalajı

Geriye dön.

Durdurma

Voltaj V_RWM (V)

Ayrımcılık

VoltajV_BR (V)

@ I_T

Test

Mevcut

Ben..._T (mA)

Maksimum

Sıkıştırma

Voltaj V_C @ I_PP(V)

Maksimum

Zirve

Nabız

Mevcut Ben..._PP(A)

Maksimum

Geriye dön.

SızıntıBen..._R

@V_RWM (μA)

U kart alanını optimize etmek için yüzeye monte uygulamalar için

U Düşük sızıntı

u Tek ve iki yönlü birim

u Cam pasifleştirilmiş bağlantı

U Düşük indüktansa

u Mükemmel sıkıştırma yeteneği

u 5000W 10 × 1000μs dalga biçiminde en yüksek güç kapasitesi Tekrarlama hızı (iş döngüsü):0.01%

u Hızlı yanıt süresi: 0 Volt'tan V'ye kadar tipik olarak 1.0ps'den az_BRdakikası

U Tipik I_R25V'den fazla 5μA'dan az.

u Yüksek sıcaklıkta lehimleme: 260°C/40 saniye terminallerde

u Tipik maksimum sıcaklık katsayısı ΔV_BR= 0,1% × V_BR@25°C× ΔT

U Plastik paketin laboratuvar yanıcılığı 94V-0 vardır.

Mat teneke kurşunsuzdur

u Halogensiz ve RoHS uyumlu

u Tipik arıza modu, aşırı belirtilen voltaj veya akımdan kısa

u Bıyık testi JEDEC JESD201A tablosu 4a ve 4c'ye göre yapılır.

u IEC-61000-4-2 ESD 15kV ((Hava), 8kV (Bağlantı)

U IEC 61000-4-2 (IEC801-2) uyarınca veri hatlarının ESD koruması

U IEC 61000-4-4 (IEC801-4) uyarınca veri hatlarının EFT koruması

Notlar:

1. Tekrarlanmayan akım atışı, Şekil 3'e göre ve T'den yukarı indirilmiş_A= Şekil 2'ye göre 25°C.

2. Her terminal için 5.0 mm x 5.0 mm (0.03 mm kalınlığında) Bakır Yataklar üzerine monte edilmiş.

3. 8.3ms tek yarı sinüs dalgası veya eşdeğer kare dalgası, Görev döngüsü = Dakikada en fazla 4 darbeler.

4. V_FV için < 3,5V_BR< 200V ve V_FV için < 6,5V_BR> 201V.